بهبود برآورد ضخامت لایه های نازک در حوزه کوفرنسی
نویسندگان
چکیده
در لرزه شناسی تهیه یک مقطع لرزه ای با قدرت تفکیک زیاد همواره یکی از اهداف پردازشگران و مفسران است و برآورد ضخامت لایه ها، به خصوص لایه های نازک یکی از ابزارهای مهم برای رسیدن به این هدف است. لایه های نازک موجب می شوند تا قله ها و شکاف های متناوبی در طیف دامنه ردلرزه تولید شود. در روش تجزیه طیفی که مرسوم ترین روش است، بسامد مربوط به اولین قله در طیف دامنه ردلرزه دو برابر می شود تا زمان تناوب شکاف های تولید شده به دست آید که برابر با عکس ضخامت لایه نازک است (آنستی، 1977). در این تحقیق، نمونه ای از روش تجزیه طیفی به نام تجزیه کپسترال به کار رفته است. روش تجزیه کپسترال می تواند با دقت خوبی فاصله بین شکاف های تولید شده در طیف دامنه را به کمک محاسبه تبدیل فوریه از لگاریتم طیف دامنه ردلرزه به دست آورد. در این تحقیق روش تجزیه کپسترال را روی مدل های متفاوت, اِعمال و نتایج آن را با روش های برآورد ضخامت از راه تجزیه طیفی و همچنین برآورد ضخامت به روش اندازه گیری اختلاف زمانی بین رویدادهای لرزه ای مقایسه می کنیم. نتیجه نشان می دهد که روش تجزیه کپسترال این توانایی را دارد که دقت برآورد ضخامت لایه های نازک را به شکل قابل ملاحظه ای بهبود بخشد.
منابع مشابه
بهبود برآورد ضخامت لایههای نازک در حوزه کوفرنسی
در لرزهشناسی تهیه یک مقطع لرزهای با قدرت تفکیک زیاد همواره یکی از اهداف پردازشگران و مفسران است و برآورد ضخامت لایهها، بهخصوص لایههای نازک یکی از ابزارهای مهم برای رسیدن به این هدف است. لایههای نازک موجب میشوند تا قلهها و شکافهای متناوبی در طیف دامنه ردلرزه تولید شود. در روش تجزیه طیفی که مرسومترین روش است، بسامد مربوط به اولین قله در طیف دامنه ردلرزه دو برابر میشود تا زمان تناوب شکا...
متن کاملاندازه گیری ضخامت شکست لایه های نازک
در این رساله نخست تاریخچه تهیه لایه نازک ، چگونگی تهیه و روشهای مختلف همچنین شرایط لایه گذاری ذکر گردیده سپس چگونگی آماده سازی زیر لایه و شرایط لازم برای لایه نشانی آمده است . در ادامه راههای مختلف اندازه گیری ضخامت و همچنین دقت روشهای مختلف اندازه گیری بیان شده است . در قسمت کارهای عملی و تحقیقات انجام شده سیستمهای لایه گذاری مورد استفاده به همراه شمای اپتیکی دستگاه نشان داده شده است . در این ...
15 صفحه اولاندازه گیری پویش آزاد میانگین الکترون در لایه های نازک ni و چند لایه ایهای نازک ni/cu از طریق مطالعه بستگی مقاومت الکتریکی به ضخامت لایه ها
در این کار ضمن ارایه یک مدل ریاضی برای محاسبه مقاومت ویژه لایه های نازک, تغییرات مقاومت الکتریکی ویژه بر حسب ضخامت برای تک لایه ایهای نازک ni و چند لایه ایهای نازک ni/cu مورد مطالعه قرار گرفت. لایه ها به روش الکتروانباشت از یک محلول الکترولیت شامل یونهای ni و cu رشد یافتند. ضخامت لایه ها از 200 تا 2000نانومتر تغییر داده شد. نقش پراش پرتوایکس (xrd) تعدادی از لایه های نازک ni/cu بیانگر ساختار چند...
متن کاملبررسی اثر ضخامت لایه های نازک بسبلوریsno۲ در حسگری گازهای o۲ و co۲
در این تحقیق سه نمونه از لایه های نازک اکسید قلع خالص را که به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی شده اند مورد مطالعه قرار دادیم. اینها به عنوان حسگر گازهای اکسیژن و دی اکسیدکربن استفاده می شوند. طیف عبوری لایه ها حاکی از نازکی لایه ها در محدوده نانومتری (nm 200-150)، و طیف xrd نشانگر تغییر سمتگیری بسبلوری از (200) به (110) می باشد که این تغییر سمت گیری بلوری به دلیل تغییر ضخام...
متن کاملتاثیر ضخامت بذر لایه بر آبگریزی نانومیله های ZnO
امروزه نانومیلههای اکسید روی بدلیل کاربردهای متعدد در صنایع مختلف از جمله سلولهای خورشیدی، ابزارهای گسیل نور، کاتالیستها، سنسورهای گازی، انواع نانوحسگرها و سطوح فوق آبگریز توجهات زیادی را به خود اختصاص داده است. در این پژوهش ابتدا بر روی شیشه سودالایم توسط روش سل- ژل از طریق پوششدهی چرخشی با سرعت rpm 4000 لایه نازک ZnO با ضخامتهای 50، 150 و 300 نانومتر پوشش دادهشد و پس از آنیل زیرلایهها...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
فیزیک زمین و فضاناشر: موسسه ژئوفیزیک دانشگاه تهران
ISSN 8647-1025
دوره 38
شماره 2 2012
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023